而在很多人的認(rèn)識(shí)中，制造7nm及以下的芯片，必須使用EUV光刻機(jī)，并且似乎已經(jīng)成為了大家的共識(shí)。

那么問(wèn)題來(lái)了，不用EUV光刻機(jī)，就真的制造不出7nm這樣的芯片么?其實(shí)還真不是的，不用EUV光刻機(jī)，制造出7nm的芯片，甚至理論上來(lái)說(shuō)，5nm芯片都是可行的。

大家回憶一下，2018年華為海思的麒麟980采用的是什么工藝?華為當(dāng)時(shí)表示，這是全球首發(fā)臺(tái)積電7nm工藝的一款芯片。

而2019年，華為發(fā)布麒麟990時(shí)，表示這是臺(tái)積電第二代7nm工藝，是采用7nm EUV工藝，著重強(qiáng)調(diào)了EUV。

為什么第一代不強(qiáng)調(diào)下EUV，第二代才強(qiáng)調(diào)下?從這個(gè)細(xì)節(jié)可以看出來(lái)，臺(tái)積電長(zhǎng)一代7nm，其實(shí)并沒有使用EUV工藝。

事實(shí)上，在7nm時(shí)，臺(tái)積電有3種工藝，分別是、N7、N7P、7nm EUV(N7+)。除了7nm EUV，另外兩種均是使用DUV。

為此，臺(tái)積電還專門開發(fā)了多重曝光技術(shù)，這個(gè)足以說(shuō)明，不使用EUV光刻機(jī)，一樣是可以生產(chǎn)出7nm芯片了吧。

另外我還給大家上一個(gè)圖，這是5代光刻機(jī)的演進(jìn)路線圖，DUV是指采用193nm波長(zhǎng)的浸潤(rùn)式光刻機(jī)，通過(guò)水的折射，最終波長(zhǎng)縮短為134nm，NA值為1.35。

從圖上也可以看出來(lái)，DUV這種光刻機(jī)，在進(jìn)行多重曝光后，可以實(shí)現(xiàn)7nm的光刻精度。

同時(shí)大家不知道的是，就算是當(dāng)前的5nm、4nm芯片，臺(tái)積電和三星，也只是將EUV應(yīng)用于少數(shù)層，而浸入式DUV也會(huì)用于部分層，在7nm以下，DUV和EUV仍是要聯(lián)合使用的。

所以沒有EUV光刻機(jī)，制造7nm芯片，并不是什么稀奇的事情。

甚至按著臺(tái)積電多重曝光技術(shù)的演進(jìn)，用DUV制造5nm芯片，都是有可能的。只是多重曝光，會(huì)影響晶圓的良率，從而導(dǎo)致制造成本過(guò)高。

而一旦良率過(guò)低，是沒法規(guī)模量產(chǎn)的，只能是試驗(yàn)性的使用。